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D類功放IC電路板布局指南

文章來源：永阜康科技更新時間：2020/12/7 10:08:00

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如果沒有遵循一些基本的布局指南，PCB設計將會限制D類放大器的性能或降低其可靠性。下面描述了D類放大器一些好的PC板布局實踐經(jīng)驗。采用帶有兩個BTL輸出的STA517B(每通道175瓦)數(shù)字功率放大器作為范例，但對所有的D類放大器而言，其基本概念是一致的。
　　地平面
　　利用過孔將電路板的頂層器件與電路板底層的地平面連接。但是，過孔仍會堵塞電流回流到地平面，因此須靈活的使用這些過孔。
　　直接在放大器之下的區(qū)域須敷銅。如果放大器在其封裝的底部有一個裸露的焊盤或插件，那么IC必須焊接到放大器下放的地，如此可以作為放大器的扇熱區(qū)。在這種情況下，地必須從IC正下方向兩邊引出，這樣可以確保其裸露。放大器下面的地須打上許多過孔，通過過孔向電路板的底層扇熱，因此它還可以作為一個扇熱區(qū)域。
　　放大器的正下方是不建議走信號線的。須打幾個過孔和地平面相連以確保所有器件彼此之間的地參考點有一個直接和低阻抗的路徑。這對輸出濾波器是尤為重要的。所有的濾波地必須有一個直接路徑回流到放大器正下方的地平面。
　　電源旁路電容
　　為確保穩(wěn)定性及抑制噪聲和串擾，對電源加旁路電容是非常重要的。放大器的輸出級吸收了大量的電流，且開關(guān)動作迅速。當輸出開關(guān)動作時，旁路電容和放大器電源輸入引腳之間的寄生電感會產(chǎn)生很大的毛刺，因此寄生電感必須保持盡可能的小。為了能在放大器功率級減小雜散電感和旁路電容之間諧振的影響，須在每個電源輸入管腳需使用一個100nF的電容與1uF的電容并聯(lián)。
　　100nF的電容必須和IC盡可能的靠近(通常不超過2毫米)。而且，如圖1所示，旁路電容必須和IC在同一層，以便減小總路徑長(和雜散電感)。1uF的電容須依次放置，和100nF電容緊靠在一起。

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產(chǎn)品型號	功能介紹	兼容型號	封裝形式	工作電壓	備注
CS83702	PO at 10% THD+N, VIN = 3.7V RL = 4 Ω 10.1W(D MODE NCN OFF）或PO at 10% THD+N, VIN = 3.7V RL = 2Ω+22µH Ω 18W(D MODE NCN OFF）	CS83705	EQA-16	2.7V-5.5V	擴頻模式,靜音功能,三種防破音模式,AB/D切換,內(nèi)置升壓,18W單聲道音頻功放
HT566	2×20W (VDD=14.5V, RL=4Ω, THD+N=1%)		QFN-28	4.5V-16V	I2S數(shù)字輸入20W立體聲無電感閉環(huán)D類音頻功放IC
HT368	2×20W (VDD=14.5V, RL=4Ω, THD+N=1%) 或2×25W (VDD=14.5V, RL=4Ω, THD+N=10%)	TPA3110/TPA3138/TPA3136/AD52068	TSSOP-28	4.5V-16V	免電感濾波2*20W D類立體聲音頻功放