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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
文章來源:永阜康科技 更新時間:2024/11/22 11:09:00
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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶體管,該系列進一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產品組合。該新產品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業開關電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機驅動器。


CoolGaN™ 650 V G5晶體管

最新一代CoolGaN™晶體管可直接替代CoolGaN™ 600 V G1晶體管,實現了現有平臺的快速重新設計。新器件改進了性能指標,確保為重點應用帶來具有競爭力的開關性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比,CoolGaN™ 650 V G5晶體管輸出電容中存儲的能量(Eoss)降低了多達50%,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達 60%。憑借這些特性,新器件在硬開關和軟開關應用中都具有出色的效率。與傳統的半導體技術相比,其功率損耗大幅降低,根據具體使用情況可降低20%-60%。

這些優勢使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN™ 650 V G5晶體管使SMPS應用變得更小、更輕,或在規定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。

該新型高壓晶體管產品系列提供多種 RDS(on) 封裝組合。十種 RDS(on) 級產品采用各種SMD封裝,如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有產品均在奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的高性能8英寸生產線上生產。未來,CoolGaN™將過渡到 12 英寸生產線。這將使英飛凌進一步擴大其CoolGaN™產能,并確保在GaN功率市場上擁有穩健的供應鏈。Yole Group預測到2029年,該市場規模將達到 20 億美元[1]。

 
 
 
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