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» 氮化鎵 (GaN) 是一種高性能化合物半導(dǎo)體。GaN 是一種 III-V 直接帶隙化合物半導(dǎo)體，就像砷化鎵 (GaAs) 一樣�；�合物半導(dǎo)體可在許多微波射頻 (RF) 應(yīng)用領(lǐng)域中提供速度和功率的出色組合解決方案。

» GaN 可為射頻應(yīng)用帶來(lái)獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。GaN 獨(dú)特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢(shì)和堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì)。

» 許多商業(yè)、國(guó)防和航空系統(tǒng)都使用 GaN。GaN 獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)支持許多新的和現(xiàn)有的應(yīng)用，包括雷達(dá)、衛(wèi)星通信、商業(yè)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)和有線電視。

» GaN 對(duì) 5G 至關(guān)重要。為滿足 5G 對(duì)數(shù)千兆網(wǎng)速和超低延遲性能的要求，設(shè)備制造商開(kāi)始在大規(guī)模多路輸入 / 多路輸出 (MIMO) 系統(tǒng)中部署高功率 GaN。

» GaN 可用于整個(gè)射頻前端。GaN 最初用于制造功率放大器 (PA)，但現(xiàn)在用于低噪聲放大器 (LNA)、高功率開(kāi)關(guān)和混頻器。

» 多種 GaN 工藝和封裝選項(xiàng)支持不同的應(yīng)用。GaN 半導(dǎo)體制造商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了多種工藝和封裝選項(xiàng)，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠更輕松地找到適合其特定應(yīng)用的分立元件、單芯片微波集成電路 (MMIC) 或模塊。

» GaN 極其可靠，即使在惡劣的環(huán)境下亦是如此。GaN 在 200℃溫度條件下，平均無(wú)故障時(shí)間 (MTTF) 超過(guò) 1000 萬(wàn)小時(shí) ；在 225℃ 溫度條件下，MTTF 超過(guò) 100 萬(wàn)小時(shí)，比其他半導(dǎo)體技術(shù)更加可靠。

» GaN 可用于大批量生產(chǎn)應(yīng)用。美國(guó)國(guó)防部 (DOD) 將 GaN 歸類為最高級(jí)別制造成熟度 (MRL)（即 MRL 10）的工藝，這意味著全速生產(chǎn)和精益生產(chǎn)實(shí)踐已經(jīng)就緒。

» GaN 正在開(kāi)拓新市場(chǎng)。由于其獨(dú)特的性能，GaN 開(kāi)始擴(kuò)展到許多新的領(lǐng)域，包括汽車、醫(yī)療系統(tǒng)和先進(jìn)的科學(xué)應(yīng)用。

» GaN 技術(shù)將繼續(xù)發(fā)展。未來(lái) GaN 技術(shù)和封裝方面的創(chuàng)新將支持更高的頻率、更高的電壓，甚至更寬的帶寬，從而進(jìn)一步推動(dòng) GaN 的普及。