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SC8551—國(guó)內(nèi)首款高壓電荷泵充電IC,充電效率高達(dá)98%
文章來源:永阜康科技 更新時(shí)間:2020/2/26 10:01:00
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 引言

隨著 4G 網(wǎng)絡(luò)普及、5G 時(shí)代的到來,手機(jī)的電池容量越來越大,以便滿足移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等各種應(yīng)用高耗能的需求。使用傳統(tǒng)充電技術(shù),充電時(shí)間越來越長(zhǎng),無法滿足日常所需?斐浼夹g(shù)應(yīng)運(yùn)而生,可以讓人們利用碎片時(shí)間迅速使電量恢復(fù),逐漸成為越來越多手機(jī)的標(biāo)配。

快充有兩種不同的技術(shù)路線:高壓小電流快充和低壓大電流快充。高壓快充的代表是高通。高通在 2014 年前后率先推出的 QC2.0 將充電電壓從傳統(tǒng)的 5V 提高到 9V/12V,充電功率提高到 18W。然而,高壓快充存在一個(gè)難以克服的不足 - 充電 IC 發(fā)熱嚴(yán)重。適配器輸出的 9V/12V 電壓進(jìn)入手機(jī)后會(huì)被手機(jī)內(nèi)部的 buck charger 進(jìn)行二次降壓再給電池充電,傳統(tǒng)的 buck 變換器由于在高壓輸入條件下轉(zhuǎn)換效率低,造成芯片發(fā)熱非常嚴(yán)重,功率無法進(jìn)一步提升。

低壓直充的技術(shù)路線代表是 OPPO 和 HUAWEI。OPPO 在 2014 年推出了 VOOC 閃充 22.5W(5V/4.5A)低壓快充技術(shù)。由于低壓快充不需要中間級(jí)的電壓變換,實(shí)現(xiàn)真正適配器給電池“直充”,所以很好地解決了充電 IC 發(fā)熱的問題。然而,為了解決 MicroB 接口通流能力小、傳統(tǒng)充電線材電阻大等問題,低壓快充需要專門定制充電接口和充電線,成本高于高壓快充方案。

2.  電荷泵快充

電荷泵是一種無電感式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,利用電容作為儲(chǔ)能元件來進(jìn)行電壓電流的變換。半壓電荷泵(2:1 charge pump) 可以實(shí)現(xiàn)輸出電壓減半、輸出電流加倍,同時(shí)轉(zhuǎn)換效率可以達(dá)到 97%以上,遠(yuǎn)高于普通的充電 IC,從而很好地解決了高壓快充時(shí)充電 IC 發(fā)熱的問題。此外,由于電荷泵可以天然實(shí)現(xiàn)輸入電流是輸出電流一半的效果,所以相對(duì)于低壓直充方案,線材和接口的成本可以大大降低。

可見,電荷泵快充可以完美化解高壓和大電流之間的矛盾,突破手機(jī)快充的極限。

圖 1. SC8551 典型應(yīng)用圖

3.  SC8551:兼容電荷泵快充和低壓直充

SC8551 是南芯針對(duì)手機(jī)快充市場(chǎng)最新推出的電荷泵快充 IC。作為國(guó)內(nèi)首款高壓電荷泵快充 IC,SC8551 還開創(chuàng)實(shí)現(xiàn)了高壓快充和低壓直充雙模式充電功能。SC8551 采用 56pin 的 CSP 封裝,芯片尺寸為 3.32mm*3.35mm。圖 1 為 SC8551 的典型應(yīng)用圖,在充電過程中,SC8551 作為主從充電架構(gòu)中的從充電 IC,在手機(jī)進(jìn)入快充階段后開始工作,其主要特點(diǎn)如下:

1.  雙模式:具有電荷泵 2:1 降壓充電和 bypass 充電兩種模式

2.  效率高:在 6A 以上充電電流條件下相較于國(guó)外的同類產(chǎn)品效率提高 0.4%

3.  完善的保護(hù)機(jī)制:26 重保護(hù)確保充電安全可靠

a)  雙模式

SC8551 同時(shí)支持電荷泵 2:1 降壓充電模式和低壓直充模式。如圖 2(a)所示,當(dāng)工作在電荷泵充電模式時(shí),芯片內(nèi)部開關(guān)管 Q1-Q8 始終處于交替開關(guān)的狀態(tài),外圍的飛電容 CFLY1/2 處于交替充放電的狀態(tài),將輸入適配器的能量搬移到電池中。穩(wěn)態(tài)工作時(shí),輸入電壓略高于兩倍電池電壓,充電電流最大可以支持到 8A。

當(dāng) SC8551 工作在 bypass 模式時(shí),如圖 2(b)所示,芯片內(nèi)部開關(guān)管 Q1/Q2/Q5/Q6 始終導(dǎo)通,開關(guān)管 Q3/Q4/Q7/Q8 始終關(guān)閉。此時(shí)相當(dāng)于適配器經(jīng)過幾個(gè)串并聯(lián)的開關(guān)管直接給電池充電,只要從 VBUS 到 VOUT 的等效電阻足夠小,芯片的溫升就可以控制地很低。SC8551 在 bypass 模式下支持的最大充電電流為 6A。

(a)高壓電荷泵快充模式

(b)低壓直充模式

圖 2. SC8551 在不同工作模式下的原理示意圖

 

b)  高效率

考慮到電荷泵快充 IC 的應(yīng)用主要是在大電流情況下,所以 SC8551 重點(diǎn)優(yōu)化了 6A 以上充電電流的效率。相較于國(guó)外同類產(chǎn)品,重載下的效率提高了 0.4%左右。圖 3 為 SC8551 在不同頻率下的效率曲線,從圖中可以看出,即使充電電流達(dá)到 8A,SC8551 的充電效率依然在 96%以上。

圖 3. SC8551 工作在電荷泵模式下的效率曲線


圖 4 為 SC8551 在 bypass 模式下從 VBUS 到 VOUT 的等效導(dǎo)通電阻曲線。從圖中可以看出,等效電阻約為 18mohm。隨著充電電流增大,等效電阻略有增加。

圖 4. SC8551 工作在 bypass 模式下的導(dǎo)通電阻曲線


圖 5 為 SC8551 工作在不同模式下的溫升示意圖。圖 5(a)為電荷泵模式下 8A 充電電流時(shí)的溫升示意圖。從圖中可以看出,芯片表面的溫升大約為 59.6-25=34.6℃(環(huán)境溫度約為 25℃)。 圖 5(b)為低壓直充模式下 6A 充電電流時(shí)的溫升示意圖,芯片表面的溫升大約為 44.5-25=19.5℃。

(a)電荷泵模式,VBAT=4.4V,IBAT=8A

(b)低壓直充模式,VBAT=4.4V,IBAT=6A
圖 5. SC8551 工作在不同模式下的溫升示意圖
    c) 完善的保護(hù)機(jī)制


SC8551 內(nèi)部集成了 26 重不同的保護(hù)機(jī)制,以確保充電過程安全可靠。保護(hù)機(jī)制可以分為三類:12 重系統(tǒng)級(jí)保護(hù)、7 重電荷泵相關(guān)保護(hù)以及 7 重系統(tǒng)級(jí)報(bào)警。其中,系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和電荷泵相關(guān)保護(hù)觸發(fā)后,SC8551 會(huì)停止充電,同時(shí)出 INT 中斷。系統(tǒng)級(jí)報(bào)警觸發(fā)后,同樣會(huì)出 INT 中斷,但是充電不會(huì)停止。
 
4. 結(jié)論
SC8551 是國(guó)內(nèi)首款高壓電荷泵快充 IC,兼容電荷泵快充和低壓直充功能。其在電荷泵快充模式下的最大充電電流達(dá)到 8A,在低壓直充模式下的電流達(dá)到 6A。憑借優(yōu)異的重載效率表現(xiàn)以及全方位的保護(hù)機(jī)制,使得 SC8551 非常適合應(yīng)用在手機(jī)大功率充電方案中。

 
 
 
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