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BM2SCQ12xT-LBZ 內(nèi)置1700V SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC
文章來源:永阜康科技 更新時間:2019/4/20 9:24:00
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全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)、街燈等工業(yè)設備,開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1)的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。

近年來,隨著節(jié)能意識的提高,在交流400V工業(yè)設備領域,相比現(xiàn)有的Si功率半導體,可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面,在工業(yè)設備中,除了主電源電路之外,還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源,輔助電源中廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較大的IGBT,在節(jié)能方面存在很大課題。

ROHM針對這些挑戰(zhàn),于2015年推出全球首款用來驅(qū)動高耐壓、低損耗SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC,并一直致力于開發(fā)充分發(fā)揮SiC功率半導體性能的IC,在行業(yè)中處于領先地位。此次又開發(fā)出全球首款內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,將大大促進采用SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器在工業(yè)領域的普及。

“BM2SCQ12xT-LBZ”是世界首款內(nèi)置節(jié)能性能極其優(yōu)異的SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,消除了分立結(jié)構(gòu)帶來的設計課題,從而可非常容易地開發(fā)出節(jié)能型AC/DC轉(zhuǎn)換器。專為工業(yè)設備的輔助電源*3)用而優(yōu)化的控制電路和SiC MOSFET一體化封裝,使得新產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比具有諸多優(yōu)勢,部件數(shù)量顯著減少(將12種產(chǎn)品和散熱板縮減為1個產(chǎn)品),部件故障風險降低,引進SiC MOSFET相應的開發(fā)周期減少等,一舉解決了諸多課題。與ROHM以往產(chǎn)品相比,功率轉(zhuǎn)換效率提高達5%(按功率損耗計算,削減28%)。因此,本產(chǎn)品非常有助于工業(yè)設備實現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化。

本產(chǎn)品已于2019年1月開始出售樣品(樣品價格2,500日元/個,不含稅),計劃于2019年5月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外,本產(chǎn)品和預計今夏開始銷售的評估板將于2019年4月17日~19日在日本幕張國際會展中心舉行的“TECHNO-FRONTIER 2019”上展出。

未來,ROHM將繼續(xù)開發(fā)SiC元器件等功率半導體*4)和用來控制功率半導體的IC,并不斷優(yōu)化這些產(chǎn)品,為工業(yè)設備的節(jié)能化和系統(tǒng)優(yōu)化貢獻力量。

 

<新產(chǎn)品特點>

新產(chǎn)品“BM2SCQ12xT-LBZ”采用專為內(nèi)置SiC MOSFET而開發(fā)的專用封裝,并集成了專為工業(yè)設備的輔助電源而優(yōu)化的SiC MOSFET驅(qū)動用柵極驅(qū)動電路等控制電路和1700V耐壓SiC MOSFET。

作為全球首創(chuàng)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,本產(chǎn)品具有以下特點,非常有助于AC400V級工業(yè)設備的小型化、節(jié)能化以及實現(xiàn)更高可靠性,從而有助于推動采用SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器的順利普及。

1.將散熱板和多達12種產(chǎn)品一體化封裝,在小型化方面具有壓倒性優(yōu)勢

本產(chǎn)品采用一體化封裝,相比采用Si-MOSFET的普通分立結(jié)構(gòu),部件數(shù)量顯著減少,1個封裝內(nèi)包含多達12種產(chǎn)品(AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6)和散熱板。另外,由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗干擾性能優(yōu)異的特點,還可實現(xiàn)降噪部件的小型化。

2.減少開發(fā)周期和風險,內(nèi)置保護功能,可靠性更高

采用一體化封裝,可減少鉗位電路和驅(qū)動電路的部件選型及可靠性評估的工時,可降低部件故障風險,可縮減引進SiC MOSFET時的開發(fā)周期,一舉多得。另外,除了通過內(nèi)置SiC MOSFET而實現(xiàn)的高精度過熱保護(Thermal Shutdown)功能外,還配備了過負載保護(FB OLP)、電源電壓引腳的過電壓保護(VCC OVP)、過電流保護、二次側(cè)電壓的過電壓保護功能。進行連續(xù)驅(qū)動的工業(yè)設備電源所需的豐富保護功能齊備,非常有助于提高可靠性。

 

3.激發(fā)出SiC MOSFET的性能,節(jié)能效果顯著

本產(chǎn)品中搭載的非常適合SiC MOSFET驅(qū)動用的柵極驅(qū)動電路,通過充分發(fā)揮SiC MOSFET的實力,與采用Si-MOSFET的普通產(chǎn)品相比,效率提升高達5%(截至2018年4月ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))。另外,本產(chǎn)品的控制電路采用準諧振方式,與普通的PWM方式相比,運行噪聲低、效率高,盡可能降低對工業(yè)設備的噪聲影響。



<采用SiC MOSFET的好處>

在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關(guān)損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優(yōu)勢。基于這些優(yōu)勢,當SiC-MOSFET用于AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等中時,可帶來更高的功率轉(zhuǎn)換效率、散熱器件的小型化、高頻工作使線圈更小等好處,具有更節(jié)能、部件數(shù)量更少、安裝面積更小等效果。

<新產(chǎn)品陣容>

產(chǎn)品型號

電源電壓范圍

正常時

工作電流

猝發(fā)模式時

工作電流

最大工作

頻率

FB OLP

VCC OVP

工作溫度范圍

BM2SCQ121T-LBZ

VCC:

15.0V ~ 27.5V

DRAIN:

1700V (Max.)

2000μA (Typ.)

500μA (Typ.)

120kHz (Typ.)

Auto Restart

Latch

-40℃~ 105℃

BM2SCQ122T-LBZ

Latch

Latch

BM2SCQ123T-LBZ

Auto Restart

Auto Restart

BM2SCQ124T-LBZ

Latch

Auto Restart















 
<應用示例>

非常適用于通用逆變器 、AC伺服、PLC(Programmable Logic Controller)、制造裝置、機器人、工業(yè)用空調(diào)、工業(yè)用照明(街燈等)等、交流400V規(guī)格的各種工業(yè)設備的輔助電源電路。

<網(wǎng)售信息>


<術(shù)語解說>

*1) SiC(Silicon Carbide,碳化硅)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

SiC是Si(硅)和C(碳)的化合物。用作半導體材料時,因有望實現(xiàn)超越Si半導體極限的特性而備受矚目。MOSFET是基本半導體元器件-晶體管的一種(結(jié)構(gòu))。它是通過從外部施加電壓來控制元器件的ON/OFF或電流流動的開關(guān)設備。

*2) AC/DC轉(zhuǎn)換器

電源的一種,將交流(AC)電壓轉(zhuǎn)換為直流(DC)電壓。一般插座中是交流電,而電子設備是直流電工作,因此,是連接插座的電子設備必須的元器件。

*3) 輔助電源

在大功率工業(yè)設備中,包括使電機等(主機)運行的主電源電路,也包括為控制IC及LED指示燈亮等(輔助)提供電源電壓的輔助電源電路,將這種電源電路稱為“輔助電源”。

*4) 功率半導體

用來根據(jù)用途轉(zhuǎn)換電壓和電流的半導體,其性能直接關(guān)系到系統(tǒng)和設備的功率效率。要求支持高耐壓、大電流。

 
 
 
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