杭州士蘭微電子公司近期推出了內置MOSFET的SSR反激電源管理系列芯片SDH866XQ。該系列芯片滿足六級能效標準，待機功耗低于40mW，并且采用了自有的高壓EDMOS專利技術和谷底鎖定專利，分別實現高壓啟動和降低EMI，可廣泛適用于各類通用適配器（如機頂盒、顯示器、平板電視等）。
SDH866XQ系列芯片合封了具有專利技術的功率EDMOS，并采用了具有專利技術的高壓啟動控制芯片，因此省略了傳統芯片的啟動電阻，使得芯片待機功耗低至40mW，具有快速啟動，輕載高效等優點。由于芯片在啟動過程中采用高壓耗盡型MOSFET進行高壓充電，啟動后高壓啟動控制器控制該MOSFET關斷，相比其他高壓啟動方式可靠性更高，更易通過雷擊浪涌測試。
此外，該系列芯片還使用了士蘭微電子自有的谷底鎖定專利技術，當出現谷底跳變時，會根據負載選定在特定的谷底開通MOSFET，并通過邏輯控制使它保持鎖定在這個谷底導通MOSFET，解決了傳統QR模式中谷底跳變引起的異音問題。芯片還內置了準諧振（QR）模式，即系統工作于DCM時原邊高壓MOSFET在振蕩波形谷底開通，可以降低MOSFET開通損耗和芯片溫升，提高DCM的平均效率（0.5%左右），一致性和可靠性。
SDH866XQ系列芯片還使用多項技術，如：
Ø 抖頻控制技術：在系統工作于CCM或QR模式時采用不同的抖頻策略，優化抖頻控制，有效的降低了系統EMI噪聲。以12V/1.25A整機為例，QR模式下，采用優化抖頻后的SDH8664Q比無抖頻IC的傳導噪聲低5dB左右。
Ø 低壓升頻技術：減小了變壓器體積，并改善了高低壓OCP一致性
Ø VCC HOLD功能：可以防止輕載或動態切換時芯片欠壓重啟
Ø 完善的保護功能：包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown-Out, 輸入OVP，輸出OVP，原邊電流采樣電阻短路保護，輸出短路保護，副邊整流管短路保護等
另外，SDH866XQ采用了外置原邊電流采樣電阻，以改善峰值輸出功率的離散性，同時也便于調節系統的輸出功率，可用同一顆IC實現系列機型設計。
該系列芯片SDH8663/4/5/6Q, 采用DIP8/TO252-5L封裝，可以滿足12W-36W功率范圍，具體參數如下表示：
DEMO測試情況如下表所示：
小型充電設備今后的發展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率，士蘭微電子將持續在該領域投入研發力量，不斷推出新品。 |
