功率半導體及芯片供應商AOS萬國半導體推出業(yè)界第一個單N溝道45V MOSFET：AON6152， 在10V Vgs 時Rdson可達到超低1.15mohm。
AON6152提供了極高的電源轉換效率及具有高驅動能力來降低開關功率損耗的最優(yōu)性能。此產品拓寬了AOS的中壓產品組合的應用范圍，包括AC/DC和DC/DC變換器副邊同步整流，以及工業(yè)和電機驅動的應用。
AON6152使用了AOS先進的工藝技術，作為AC/DC或DC/DC變換器的副邊同步整流，可顯著降低功耗，并最大限度地提高轉換效率。AON6152漏源擊穿電壓（BVDSS）達到45V，且具有超低的Rdson 1.15mohm。AON6152使設計工程師能夠獲得最高的效率，同時又滿足可靠的電壓余量優(yōu)化設計的要求。AON6152 封裝為DFN5x6及100%的RG和UIS雪崩測試。
AOS的MOSFET產品線市場總監(jiān)馮雷說：“AON6152是一個新的里程碑，該產品不僅簡單易用且能達到效率更高，更好的熱性能，以及更高的功率密度的性能。該產品可提供電源設計師設計更低溫度及提高系統整體可靠性產品的解決方案”。 |
