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2015年全球非易失性存儲器（NVM）新興技術與市場趨勢報告

文章來源：更新時間：2015/6/8 13:10:00

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日前宣布加入的“新興非易失性存儲器（NVM）技術與市場趨勢報告”報告他們的產(chǎn)品。

“新興非易失性存儲器（NVM）技術與市場趨勢報告”

在過去的兩年中，新興的復雜非易失性存儲器（NVM）的情況已經(jīng)大大簡化。

在2014年，美光，主相變存儲器（PCM）啟動的獨立內存，停止積極推銷PCM芯片以下銷售目標萎縮的入門級手機市場的崩潰。與此同時，美光開發(fā)了一種電阻式隨機存取存儲器（RRAM或ReRAM的）芯片與索尼，其包括導電性橋的RAM（CBRAM）的技術類的一部分。

在16 GB的美光，索尼RRAM具有在新興NVM技術商業(yè)化密度最高。因此，我們認為PCM現(xiàn)在退賽的獨立內存。對于嵌入式微控制器單元（MCU）的應用程序2015年將是一個關鍵的一年，意法半導體在這個市場的主要PCM啟動，將選擇PCM是否將繼續(xù)留在它的路線圖。

因此新興的NVM報告集中在兩個最有前途的技術：RRAM和磁阻RAM（MRAM）。 MRAM的最有吸引力的類別是自旋轉移矩磁阻RAM（STTMRAM），其提供更高的可擴展性/密度。一個主要的選擇標準存儲器是芯片的可擴展性/密度，因為這會影響性能和成本。該Yole報告提供了技術節(jié)點，芯片密度和定價方面準確記憶的路線圖。

目標報告：

•介紹了半導體存儲器市場的概況
•提供新興的NVM應用的理解：
•介紹市場預測新興NVM業(yè)務：
•描述新興技術的NVM
•描述和分析競爭格局

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