Peregrine半導體公司是射頻SOI（絕緣體上硅）技術的創始人，先進的射頻解決方案的先驅，現在推出UltraCMOS®PE42524，這是行業中第一個工作頻率高達40 GHz 的射頻 SOI開關。這種開關引人注目地把Peregrine的高頻產品陣容擴大到先前以砷化鎵（GaAs）技術為主的頻率。作為GaAs以外的另一種解決方案，PE42524的可靠性高，在線性度、隔離性能、過渡過程時間和靜電放電（ESD）保護性能等方面具有優勢。由于這種開關具有這些特性，是用于測試和測量、微波回程、雷達和軍事通信設備的理想開關。
“隨著我們把高頻產品進一步延伸到微波頻率，Peregrine證明了射頻 SOI技術的能力和優勢。” Peregrine半導體高級營銷經理Kinana Hussain說。“我們的UltraCMOS技術促成了我們的高頻元件，例如PE42524，達到以前人們認為射頻SOI不可能達到的性能水平。Peregrine的產品發展路線圖包括其他高頻元件，已經并將繼續在射頻 SOI方面樹立新的標準。＂
Peregrine的高頻開關產品，其中包括13 GHz、18 GHz、26.5 GHz和現在40 GHz產品，是用Peregrine公司的UltraCMOS技術制造的。UltraCMOS技術是SOI技術在藍寶石基片上實現的專利技術。對于高頻設計，藍寶石基片具有十分重要的若干關鍵性好處。藍寶石的損耗角正切優于CMOS十倍，優于砷化鎵三倍。藍寶石是電阻率超高的基片，它的隔離度高，而且寄生電容最小。藍寶石基片根除了硅基片常見的許多耦合方面的影響，因而為射頻系統工程師帶來非凡的線性度和功率處理性能。
特性、包裝、價格和供貨
Peregrine的PE42524是單刀雙擲（SPDT）射頻開關裸片，它的頻率范圍寬，從10 MHz至40 GHz。它的端口與端口之間的隔離性能極好，插入損耗低，線性度優異。在30 GHz時，開關的隔離性能是47分貝，插入損失為2.2分貝，在13.5 GHz時的IIP3為50 dBm。PE42524的開關時間為225納秒，過渡過程時間很短，為840納秒，所有引腳的人體放電模型（HBM）靜電放電保護電壓高達2000伏。和砷化鎵的解決辦法不同，對于PE42524，在射頻端口，如果沒有直流電壓，不需要阻斷電容器。PE42524可以以倒裝片裸片的方式提供，它的凸塊間距為500微米，從而根除了由于邦定線長度變化而引起的性能變化。
樣品、評估工具和量產件現在已經上市。PE42524的倒裝片裸片符合RoHS標準，訂購數量為1千片時的價格是每個40美元，訂購數量為5千片時的價格是32.44美元。
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特性
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UltraCMOS® PE42524
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配置
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單刀雙擲（SPDT）
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頻率范圍
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10 MHz至40 GHz
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隔離性能好
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· 48 dB （在 26.5 GHz時）
· 39 dB （在 35 GHz時）
· 33 dB （在 40 GHz時）
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線性度好
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IIP3 為50 dBm （在13.5GHz時）
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輸入的 1dB壓縮點
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· 31.5 dB （在 26.5 GHz時）
· 28 dB （在35 GHz時）
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插入損耗小
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· 1.8 dB （在 26.5 GHz時）
· 3.1 dB （在35 GHz時）
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靜電放電（ESD）保護額定電壓高
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2000V（人體放電模型，所有引腳）
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開關時間
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225 ns
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過渡過程時間
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840 ns
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封裝
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倒裝片裸片
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