HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的縮寫,意為本征薄膜異（膜厚5～10nm）質結.HIT太陽能電池是以光照射側的p/i型a-Si膜和背面側的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夾住單結晶Si片的來構成的.
圖一.HIT太陽能光伏電池結構
HIT太陽能光伏電池基板以硅基板為主；在硅基板上沉積高能隙(Energybandgap)的硅奈米薄膜，表層再沉積透明導電膜，背表面有著背表面電場。通過優化硅的表面織構，可以降低透明導電氧化層（TCO）和a-Si層的光學吸收損耗。HIT太陽能光伏電池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增強n型c-Si的光吸收率。
HIT太陽能光伏電池在技術上的優勢
由于HIT太陽能電池使用a-Si構成pn結，所以能夠在200℃以下的低溫完成整個工序。和原來的熱擴散型的結晶太陽電池的形成溫度（～900℃）相比較，大幅度地降低了制造工藝的溫度。由于這種對稱構造和低溫工藝的特征，減少了因熱量或者膜形成時產生的Si晶片的變形和熱損傷，對實現晶片的輕薄化和高效化來說是有利的，具有業界領先的高轉換效率（研究室水平為23％，量產水平為20％），即使在高溫下，轉換效率也極少降低，利用雙面單元來提高發電量。 |
