羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開始SiC－MOS模塊（額定1200V/180A）的量產。
該模塊內置的功率半導體元件全部由SiC－MOSFET構成，尚屬業界首次※。額定電流提高到180A，應用范圍更廣，非常有助于各種設備的低功耗化、小型化。
另外，生產基地在羅姆總部工廠（日本京都），已經開始銷售樣品，預計12月份開始量產并出貨。
羅姆于2012年3月世界首家實現內置的功率半導體元件全部由碳化硅構成的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）的量產。該產品在工業設備等中的應用與研究不斷取得進展；而另一方面，在保持小型模塊尺寸的同時希望支持更大電流的需求高漲，此類產品的開發備受市場期待。
通常，為了實現大電流化，一般采用增加MOSFET使用數量等方法來實現，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長期以來很難保持小型尺寸。
此次，羅姆采用消除了體二極管通電劣化問題的第2代SiC-MOSFET，成功開發出無需整流元件—二極管的SiC功率模塊（SiC-MOS模塊），使SiC-MOSFET的搭載面積増加，在保持小型模塊尺寸的同時實現了大電流化。
內置的SiC-MOSFET通過改善晶體缺陷相關工藝和元件構造，成功地攻克了包括體二極管在內的可靠性方面的各種課題。
由此，與逆變器中使用的一般Si-IGBT相比，損耗降低50％以上，在實現更低損耗的同時，還實現了50kHz以上的更高頻率，有利于外圍元件的小型化。
＜特點＞
1） MOS單體即可保持開關特性不變。無尾電流，開關損耗更低
即使去掉SBD亦可實現與以往產品同等的開關特性。由于不會產生Si-IGBT中常見的尾電流，損耗可降低50％以上，有助于設備更加節能。另外，達到了Si-IGBT無法達到的50kHz以上的開關頻率，因此，還可實現外圍設備的小型化、輕量化。
2） 可逆向導通，實現高效同步整流電路
一般Si-IGBT元件無法逆向導通，而SiC-MOSFET可通過體二極管實現常時逆向導通。另外，通過輸入柵極信號，還可實現MOSFET的逆向導通，與二極管相比，可實現更低電阻。通過這些逆向導通特性，與二極管整流方式相比，可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術。
 
3） 成功解決體二極管的通電劣化，通電時間達1000小時以上且無特性劣化
羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴大機理，通過工藝、元件結構成功控制了產生劣化的因素。一般產品通電時間超過20小時導通電阻就會大幅增加，但本產品通電時間達1000小時以上導通電阻也不會增大。
＜用語說明＞
・體二極管(Body diode)
MOSFET 的結構中，寄生于內部而形成的二極管。逆變器工作時，電流經過此二極管，因此要求具備低VF值和
高速恢復特性。
・尾電流(Tail current)
IGBT 中的關斷時流過的瞬態電流。因空穴注入的積累時間而產生。此期間內需要較高的漏極電壓，因此產生較
大的開關損耗。
・IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)
不僅電子，不同的空穴，電流流經而實現低導通電阻的功率晶體管。因空穴注入的積累時間無法高速動作，具有
開關損耗較大的問題。
・正向電壓(VF ：Forward Voltage)
正向電流流經時二極管產生的電壓值。數值越小耗電量越小。
・導通電阻
功率元件工作時的電阻值。這是影響功率MOSFET 性能的最重要的參數，數值越小性能越高。 |
