日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。LM5114 可驅動同步整流器與功率因數轉換器等低側應用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅動器 LM5113，可為高性能電信、網絡以及數據中心應用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉換驅動器解決方案。如欲了解詳情或訂購樣片與評估板，敬請訪問：www.ti.com/gan-pr。
LM5114 可通過 5 V 電源電壓的獨立源極與汲極輸出（sink and source output）驅動標準 MOSFET 與 GaN FET。它具有使用較大或并行 FET 的大功率應用中所需的 7.6 A 高峰值關斷電流功能。此外，提高的下拉強度還有助于該器件驅動 GaN FET。獨立源極與汲極輸出可取消驅動器路徑中的二極管，準確控制升降時間。
LM5114 低側柵極驅動器的主要特性與優勢：
·可優化升降時間的獨立源極與汲極輸出支持更高的效率；
·+4 V 至 +12.6 V 單電源支持各種應用；
·0.23 歐姆的開漏下拉汲極輸出可避免無意接通；
·7.6 A/1.3 A 峰值汲極／源極驅動器電流可最大限度減少電壓突變(DV/DT)的影響；
·匹配反相及非反相輸入之間的延遲時間，可降低停滯時間損耗；
·12 ns 典型傳播延遲可在提高效率的同時，支持高開關頻率；
·高達 14 V 的邏輯輸入（不受 VCC 影響）；
·-40 攝氏度至 +125 攝氏度的寬泛工作溫度。
供貨情況與封裝
LM5114 現已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權分銷商進行訂購。該器件采用 6 引腳 SOT-23 封裝或裸焊盤 6 引腳 LLP 封裝。
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·訂購最新 GaN FET 驅動器的樣片與評估板：www.ti.com/lm5114-prcn ；
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·觀看 LM5113 的實驗室演示：http://www.ti.com/lm5113-prv；
·通過 德州儀器在線技術支持社區咨詢問題： www.deyisupport.com。
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