擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出兩款面向手機基站設備的低功耗、低失真射頻（RF）至中頻（IF）混頻器以擴展其模擬無線基礎設施產品組合。新的器件可改善系統三階互調（IM3）性能并減少功耗，從而實現改進的服務質量（QoS）和 4G 無線基礎設施應用中更小的附件和增強的可靠性。
IDT F1150 和 F1152 是低功耗、低失真的雙通道 1700 – 2200MHz RF 至 IF 混頻器，擁有非常好的線性指標（+42 dBm）三階交調（IP3O）以實現極佳的互調抑制，使其成為 4G 無線基站中多載波、多模蜂窩系統的理想選擇。與標準混頻器相比，該混頻器減少功耗超過 40%，極大減少了熱耗散并減輕了射頻的散熱要求－這對如今高度緊湊設備來說是一項關鍵因素。此外，器件改善 IM3 失真超過 15 dB，可實現更好的信噪比（SNR），使得客戶能夠使用更高的前端增益改進性能。
IDT 公司通信部總經理兼副總裁 Tom Sparkman 表示：“我們最新的 RF 至 IF 混頻器產品鞏固了我們在無線基礎設施應用領域領導地位和將我們的產品組合擴展到射頻信號鏈。IDT F1150 和 F1152 擁有低功耗和低 IM3 失真，可滿足我們客戶正緊密部署的 4G 基站解決方案的關鍵需求。我們的客戶非常歡迎混頻器高性能和全功能的特點，他們已經在使用 IDT 的高性能產品，包括時鐘和計時、RapidIO® 和來自我們完整通信產品組合的其他器件。”
IDT F1150 和 F1152 與低噪聲數字控制 IF 可變增益放大器 F1200 相得益彰，F1200 是 IDT 不斷增加的 RF 信號通道產品中最近推出的產品。這些產品利用 IDT 的模擬專長和豐富的數字經驗，以提供可優化客戶應用的系統級解決方案。
供貨
IDT F1150（高本振注入）和 F1152（低本振注入）已向合格客戶提供樣品，提供 36 引腳 6x6 毫米 QNF 封裝。欲了解更多信息，請訪問：www.idt.com/go/RF。
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