Diodes公司推出專為開關高功率IGBT設計的ZXGD3006E6閘極驅動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
當輸入電流為1mA時，該閘極驅動器通�？商峁�4A的驅動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和IGBT的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6擁有一個發射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應(latch-up)及貫通問題(shoot-through)，實現少于10ns的傳輸延遲時間。
ZXGD3006E6的操作范圍涵蓋40V，可全面改善開關器件，從而把通態損耗降至最低。該器件同時允許從+20V至-18V的閘極驅動，有助于防止由dV/dt引起的IGBT誤觸發(false triggering)。
這個閘極驅動器提供獨立電源和路漏輸出(sink output)，可分別器件開啟及關閉時間，從而讓電路設計師能為特定應用設定更佳的開關功能。再加上擁有10Amp的峰值電流處理能力，該器件可控制大閘極容性負載的充電和放電，以減少更高運行頻率下的EMI(電磁干擾)問題和跨導風險(cross conduction)。
該閘極驅動器采用堅固耐用的SOT26封裝，可比競爭器件提供更高的脈沖電流，確保減少熱耗散，從而提升產品可靠性。此外，新器件的封裝引腳經過優化，能簡化印刷電路板布線，并減少寄生引線電感。
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