MOS管是一種場效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET），其名稱源自金屬氧化物半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）。MOS管包括兩種類型：NMOS（N-Channel MOS）和PMOS（P-Channel MOS）。
NMOS（N-Channel MOS）：
NMOS管是一種使用N型溝道的場效應(yīng)晶體管。它由N型溝道、P型基底和控制門構(gòu)成。
當(dāng)正電壓施加到控制門上時(shí)，形成的電場使得N型溝道中的電子流動，從而導(dǎo)通了NMOS管。
NMOS管的特點(diǎn)是在控制門施加正電壓時(shí)導(dǎo)通，施加零電壓時(shí)截止。
PMOS（P-Channel MOS）：
PMOS管是一種使用P型溝道的場效應(yīng)晶體管。它由P型溝道、N型基底和控制門構(gòu)成。
當(dāng)負(fù)電壓施加到控制門上時(shí)，形成的電場使得P型溝道中的空穴流動，從而導(dǎo)通了PMOS管。
PMOS管的特點(diǎn)是在控制門施加負(fù)電壓時(shí)導(dǎo)通，施加零電壓時(shí)截止。
NMOS和PMOS區(qū)別
三極管（雙極型晶體管）的區(qū)別：
三極管是一種雙極型晶體管，有三個控制電極：發(fā)射極、基極和集電極。
與MOS管不同，三極管是通過基極電流控制集電極和發(fā)射極之間的電流流動。
三極管在放大和開關(guān)電路中廣泛使用，而MOS管主要用于集成電路和數(shù)字邏輯電路中。 |
